PNP晶體管工作狀態模式和PNP晶體管的優點
PNP晶體管工作與電源電壓的電路連接。由于PNP晶體管，這里的基極端子相對于發射極具有負偏壓，而發射極端子相對于基極和集電極都具有正偏壓。
與NPN晶體管相比，這里的極性和電流方向是相反的。如果晶體管連接到如上所示的所有電壓源，則基極電流流過晶體管，但此處的基極電壓需要相對于發射極更負以操作晶體管。在這里，基極-發射極結充當二極管。基極中的少量電流控制著大電流通過發射極流向集電極區。Si的基極電壓一般為0.7V，鍺器件的基極電壓為0.3V。
一、PNP晶體管的工作狀態模式類型：
1、晶體管的曲線和工作模式：
當用于開關應用時，工作模式可以根據晶體管內部二極管的偏置分為四類。截止區、有源區、飽和區和擊穿區是不同的操作模式。
2、主動模式：
在這種操作模式下，晶體管經常用作電流放大器。晶體管的兩個二極管以相反的方向偏置，這意味著一個正向偏置，另一個反向偏置。在這種模式下，電流從發射極流向集電極。
3、截止模式：
在這種操作模式下，晶體管中的兩個二極管都反向偏置。據說晶體管處于關斷狀態，因為在這種模式下沒有任何方向的電流流動。
4、飽和模式：
在這種操作模式下，晶體管中的兩個二極管都被正向偏置。在這種模式下，電流可以自由地從集電極流向發射極。當基極-發射極結上的電壓很高時，就會發生這種情況。ON狀態稱為此模式。
5、故障模式：
當集電極電壓超過設定限值時，集電極二極管被破壞，集電極電流飆升至危險水平。結果，擊穿區中的晶體管不應工作。例如，在2N3904晶體管中，如果集電極電壓超過40V，擊穿區立即開始，導致晶體管電路損壞。
二、PNP晶體管的優點：
1.為了提供電流，使用PNP晶體管。
2.因為它生成一個以負電源軌為參考的信號，所以它簡化了電路設計。
3.與NPN晶體管相比，它們產生的噪聲更少。
4.它比其他晶體管小，可用于集成電路，就像其他晶體管一樣。
